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雙組分硅片清洗劑配方生產技術
雙組分硅片清洗劑主要用在單、多晶硅片表面清洗處理，能有效地清除硅片表面的污染物，使硅片表面潔凈如一，特別適用于太陽能、電子半導體等行業硅片清洗。本品對油污、硅粉、金屬離子、硅片切割液、研磨液等具有較好乳化、分散及清潔作用，尤其適合清洗重污垢硅片；本品對金屬離子有很強剝離、絡合、洗凈效果；產品低泡，有良好的抑泡效果，超聲波清洗線使用不會有泡沫溢出，清洗性能好，清洗后的硅片表面無殘留,硅片制絨及光電性能好；本品緩蝕性好，硅片表面不易產生過腐蝕。本硅片清洗劑為雙組分產品，濃縮配方，稀釋使用，A組分主要有鉀鹽、緩蝕劑、絡合劑、螯合劑、助洗劑組成，B組分主要由表面活性劑復配物組成，A、B組份配合使用，針對不同工況工藝適應性更強，洗滌能力更易調節，洗滌劑消耗更合理，減少了增溶劑的使用，產品成本更具競爭力。
技術參數（該技術參數僅供參考，部分參數可能會進行調整優化，以實際參數為準。）
A組分：高濃縮、洗凈力強、緩蝕性好；化學成分：氫氧化鉀、緩蝕劑、絡合劑、助洗劑等；外觀氣味：無色無味透明液體；比重：1.20±0.05g/cm3；PH：12.5±0.5(5％水溶液）；工作溫度：50-60℃；處理方式：超聲浸泡，2％左右加水稀釋，配合B組分使用；處理時間：2-3分鐘（以實際情況為準）；游離堿度：375±25點
B組分：低泡，滲透性好，抑泡效果好；化學成分：非離子表面活性劑復配物；外觀氣味：無色至淡黃色透明液體；比重：1.05±0.05g/cm3；PH：7.0±0.5(5％水溶液）；工作溫度：50-60℃；處理方式：超聲浸泡，1％左右加水稀釋，配合A組分使用；處理時間2-3分鐘（以實際情況為準）。
性能優勢：1、洗凈力強：適合清洗重污垢硅片；2、低泡產品：產品低泡，有良好的抑抱效果；3、緩蝕性好：不腐蝕硅片，不會出現發花現象；4、適用性強：適用于多種硅片清洗場合；5、雙組分設計：不同工況工藝適應性更強，洗滌能力更易調節；6、使用成本低：高濃度配比，添加量少，使用成本低。
太陽能硅片清洗流程一般推薦如下：切片-預沖洗-脫膠-插片-清洗-干燥
工藝參數（具體使用方法及用量根據實際情況靈活調整） ：槽液游離堿度：6-10點（2%左右稀釋）；槽液溫度：50-60℃；處理時間：2-3分鐘。
檢測方法：用移液管將10毫升槽液移入錐形瓶中，加入3-4酚酞指示劑，然后用0.1N的鹽酸滴定，顏色由紅色至無色即為終點，此時所消耗的0.1N的鹽酸毫升數即為槽液的游離堿度。
技術服務：雙組分硅片清洗劑技術資料費280元，含原料介紹、生產配方、工藝流程、使用方法等，提供技術支持。
上一技術：新能源無醇水性燃料下一技術：單組分硅片清洗劑
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