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無鎘銅銦鎵硒薄膜太陽能電池緩沖層薄膜的制備方法：在銅銦鎵硒光學吸收層薄膜的表面上鍍覆金屬鋅薄膜，然后將鍍覆有金屬鋅薄膜的電池基板表面用光輻照加熱，其襯底背面用接觸式熱源或光輻照方式加熱，固態硒源或/和硫源用接觸式熱源和光輻照協同方式來加熱，硒源或/和硫源的溫度控制在160～280℃，硒或硫蒸氣與鋅薄膜之間用光輻射來催化它們的合成反應，鋅薄膜的硒化或/和硫化處理溫度控制在180～420℃，用時2～10分鐘將鋅薄膜轉化成n-型ZnSe或ZnS半導體薄膜材料，制成無鎘銅銦鎵硒薄膜太陽能電池中的緩沖層薄膜。本方法可在銅銦鎵金屬預制層后硒化方法制備CIGS薄膜電池的生產線內進行連續化的生產操作。技術資料費280元。
摻銦鈦酸鋇材料制備方法：采用In替代BaTiO3中一部分Ti的摻雜方法，從而提供一種摻銦P型鈦酸鋇(BaInxTi1－xO3)塊材、薄膜，其中Ba∶Ti∶In=1∶（1－x）∶x,x的取值范圍為0.005－0.5。當x值偏小時 ，薄膜的介電、鐵電和熱釋電等特性較強；x值增大時，薄膜的導電性較強；摻雜濃度的不同，材料具有不同光學非線性特性。提供的BaInxTi1－xO3是多性能和具有廣泛應用的新型薄膜材料，其P型特性在氧化物電子學方面將有重要的應用。技術資料費280元。
摻銦鈦酸鍶材料制備方法：采取用In替代 SrTiO3中一部分Ti的摻雜方法,從而提供一種摻銦P型鈦酸鍶（ SrInxTi1－xO3）塊材、薄膜及其制備方法，其中Sr∶Ti∶In=1∶(1－x)∶x,x的取值從0.5％到50％。當x值小時，薄膜具有介電和熱釋電特性，當x值增加時，其導電性增強，變為具有金屬性的氧化物導電薄膜材料。提供的SrInxTi1－xO3不僅在探測器、導電電極等方面有廣泛應用，而且在氧化物電子學方面也將會有重要應用。技術資料費280元。
用于濺射鍍膜的氧化銦／氧化錫（ＩＴＯ）靶材制造方法：原料粉末中氧化銦和氧化錫，平均粒徑３０～２００nm，純度９９．９９％；冷等靜壓力為２００～２８０ＭＰa，保壓時間１０分鐘；熱等靜壓溫度為１１００～１３００℃，保溫時間０．５～６小時，氣氛壓力為１００～１２０ＭＰa；采用專門設計的包套和容器；制造出高密度、高純度、大尺寸的ＩＴＯ靶材。該方法生產效率高、成本低。技術資料費280元。
銀氧化錫氧化銦電觸點用線材生產工藝：它含有Ｓｎ，Ｉｎ，Ｎｉ，Ｚｎ和Ｓｎ，Ａｇ。生產工藝為：將銀錠、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ置于熔煉中，熔煉并鑄錠、加工粉碎、高溫高壓氧化、再粉碎、加壓成型、高溫下擠壓成條、帶材、熱拉拔成線材。本線材產品生產加工特性和再加工性能良好，可用于制造雙金屬復合鉚釘，以在大功率繼電器中部分代替對環境有污染的Ａｇｃｄｏ觸點。技術資料費280元。
納米銦錫氧化物粉體的制備方法：采用4N或5N的銦、錫為原料，用無機酸溶解后，用超聲波沉淀、微波干燥、煅燒，或冷凍干燥、沸騰回流法煅燒，制取純度為99.99％以上，平均粒徑（5～10nm，比表面積）15m2/g的納米銦錫氧化物粉體。制備納米銦錫氧化物粉末過程中無軟團聚和硬團聚問題，銦錫氧化物粉末的純度高，粒度小且分布窄，成分可控，組成均勻，表面活性高，分散性好，無需添加分散劑，污染小，易于實現工業化生產。技術資料費280元。
富銦渣制備海綿銦的方法：通過下述技術方案予以實現：將含銦量為4％～14％富銦渣，用稀硫酸進行浸出得到含銦浸出渣和硫酸鋅液體，含銦浸出渣用濃硫酸浸出，得到含銦液體，再用鋅粉置換硫酸銦液體，得到海綿銦，海綿銦中銦的含量為50％到95％。采用本技術，金屬銦的總回收率高，環境污染小。技術資料費280元。
氧化銦薄膜材料制備方法：材料包括襯底，特別是襯底上覆有單層或多層氧化銦球形孔構成的薄膜，氧化銦球形孔的直徑為100～5000nm，薄膜的厚度為50nm～100μm；方法包括用旋涂法或垂直提拉法將膠體球附于襯底表面而形成模板，特別是先將氫氧化銦溶膠滲入襯底上的膠體球間，再將滲有氫氧化銦溶膠的模板于50～110℃下加熱，然后將浸在二氯甲烷中的模板置于超聲波中1～3分鐘，最后，將模板置于370～500℃下退火，制得氧化銦薄膜材料。它制得的氧化銦薄膜材料是由呈六方緊密排列的、單層或多層的、孔間相互連通的、孔骨架致密的、孔徑和厚度均為納米或微米級的有序球形孔構成，制備的工藝簡單、成本低，無污染，適于工業化生產。技術資料費280元。
砷化銦、砷化鎵的化學還原制備方法：將一定配比的鎵或銦和砷的氯化物混合后，在苯、甲苯或其它非水有機溶劑中，按反應計量比加入還原劑，在密閉和１２０～３５０℃溫度條件下反應，固液分離，依次用有機溶劑、稀鹽酸、蒸餾水洗滌，真空干燥，即得產物ＩｎＡｓ或ＧａＡｓ。原材料易得、價廉，避免了使用劇毒氣體ＡｓＨ3，設備簡單，操作簡便、安全，產率高，易于工業化生產。技術資料費280元。
銻化銦薄膜的制造方法：首先用電阻加熱蒸發In源，在預先已加熱到一定溫度的基底上真空蒸鍍一層In層，再用電阻加熱蒸發InSb+Sb源，在其上再真空蒸鍍一層InSb層，隨后用電阻加熱蒸發In源，在基底表面再真空蒸鍍一層In層，最后對上述元件在高純氮氣保護下進行結晶化處理，這種InSb薄膜的制造方法有效地保證了制得InSb膜層中In和Sb的配比接近理論值，大大提高了所制得InSb薄膜的電子遷移率，使之在霍爾元件制造中具有實用價值。技術資料費280元。
銅銦鎵的硒或硫化物半導體薄膜材料的制備方法：是在銅銦鎵硒或/和硫光學吸收層薄膜的制備工藝中，先用真空磁控濺射、加熱蒸發或化學水浴電沉積法在鈉鈣玻璃Mo襯底上分步沉積化學式配比量的Cu、In、Ga金屬預制層，再在熱處理真空室內進行光硒化或/和硫化反應，其特征在于：對沉積有銅銦鎵金屬預制層的電池基板雙面同時加熱，電池基板的背部一面用接觸式熱源加熱，鍍覆金屬預制層的基板一面用光輻照加熱，在其快速、均勻地升溫，對硒源或硫源進行接觸式熱源和光輻照的協同加熱，促使銅銦鎵金屬預制層轉變成化合物半導體光電薄膜材料。本方法克服了600℃高溫硒化或硫化造成的玻璃軟化，適合于工業化生產。技術資料費280元。
銦錫氧化物靶材的制備方法：包括銦錫混合鹽溶液的制備、溶液的均相共沉淀、沉淀物的煅燒、氧化物脫氧、冷等靜壓、熱等靜壓等步驟，其特征在于：所述的均相共沉淀的添加劑為檸檬酸或酒石酸；煅燒是將沉淀物在溫度、氧氣濃度的條件下，于隧道窯中進行；脫氧是在溫度300-600℃，氫氣流量1-3立方米/小時，反應時間15-60分鐘，脫氧率控制6-20％的管式爐中進行；冷等靜壓二次成型的壓力和保壓時間分別是80-120MPa、1-5分鐘和150-200MPa、5-10分鐘；熱等靜壓是將坯件置于具有隔離材料的包套中，在熱等靜壓機中進行燒結。主要用于液晶顯示。技術資料費280元。
氧化銦錫專用銀漿料制造方法：該銀漿料包括以下組分及含量(重量百分數)的原料：金屬銀粉、高分子樹脂、添加劑、溶劑；該銀漿料的制造方法包括載體的配制、銀漿的配制、銀漿料的生產等工藝步驟。與現有技術相比，可以使導電銀漿料的體積電阻極低，與ITO膜的附著力、歐姆接觸性能得到很好的改善，與氧化銀漿與介質層、發光層和絕緣油墨的結合性能大大提高，并改善了銀漿料的絲網印刷性、表面硬度、抗侵蝕性、環境使用壽命等性能。技術資料費280元。
制備納米氮化銦粉體的方法：其特征在于由納米三氧化二銦于管式反應爐中，在流動氨氣條件下高溫氮化，然后在流動氨氣氛下，自然冷卻至室溫；流動氨氣的流量為0.5～5升/分鐘，氮化溫度550～650℃，持續時間2～8小時。所得的納米氮化銦的晶粒尺寸為50～300nm。三氧化二銦制備是以含銦的化合物為原料，以氨水或氫氧化鈉溶液為沉淀劑進行沉淀反應，沉淀物經過濾、水洗、醇洗，然后干燥得到分散性良好的氫氧化銦，最后經高溫煅燒。本方法具有工藝簡單、生產設備價格低廉且用氨氣作為還原劑安全、可靠易于實現工業化生產。技術資料費280元。
銦錫氧化膜的制造方法：提供一種蝕刻率較高且為低電阻的高透光率的ITO膜。在常溫及添加水份的環境下形成銦錫氧化物(ITO)膜，成膜后，進行熱處理。添加水份環境設為使成膜室內的水份總分壓約為8.2×10-3帕以下，而在后續的退火過程發揮膜質改善效果，并且，通過使成膜室內的水份總分壓為3.20×10-3帕以上，則可形成非晶質性的ITO膜，而在成膜后可迅速進行蝕刻處理。成膜后(圖案化后)的熱處理優選以約180℃以上(例如約220℃)的溫度進行約1小時以上(例如約1小時～約3小時)為條件，由此，膜片將被多晶化，得到低電阻且高透光率的ITO膜。技術資料費280元。
以水溶液法制備氧化銦錫粉末的方法：其是利用水及適當添加劑，分別溶解銦化合物、錫化合物于水中，而配制出二澄清的溶液，再加入適當添加劑，產生一定比例的金屬氫氧化物，經過濾及水洗后，并加入適當添加劑予以解膠，使不同金屬氫氧化物的特定成分發生水解、凝縮等反應，接著經干燥和煅燒，制成高品質的納米級(nano meter、10-9)氧化銦錫粉末。本方法制備的氧化銦錫粉末具有更高的致密度。技術資料費280元。
氧化銦錫膜用浸蝕液：提供一種ITO膜用浸蝕液，該浸蝕液含有浸蝕氧化銦錫的有機酸以及吸附于氧化銦錫膜表面、具有使表面電位為負電位的性質且分子內部不含有苯環的陰離子型表面活性劑。該浸蝕液使得對ITO膜進行快速浸蝕成為可能，并且能夠在不增加水質負荷的情況下進行廢水處理。技術資料費280元。
銦、錫氧化物復合粉末的制備方法：其特征在于將金屬銦和金屬錫(按重量百分比稱量)分別溶解乳化后，充分混合后，讓其共沉淀，洗滌，過濾，再烘干，灼燒，最后淬火磨碎，即成產品。具有通過溶液中的各種化學反應能夠直接得到化學成分均一的復合粉料；容易制備粒徑分布窄且流動性好的超細顆料；采用普通的化工設備，反應過程簡單，成本低，便于推廣到工業化生產。技術資料費280元。
高密度銦錫氧化物靶材制造方法：用于制造透明導電薄膜的濺射用高密度氧化銦錫(ITO)靶材及其制造方法，其特征為：具有較高的密度，相對密度大于98％；成分均勻。其采用金屬銦和金屬錫為原料，用化學共沉淀法制造ITO粉，然后將ITO粉經熱壓成型，得到的壓塊經加工研磨后，制成ITO靶材。這種靶材可以用來制造透明導電薄膜。技術資料費280元。
高純度銦化合物的制造方法及應用：銦錠用水淬法制成銦粒，經酸解和提純制得氫氧化銦，氫氧化銦氧化鍛燒得純度為99.99％—99.999％氧化銦，由氫氧化銦、氧化銦和鋅粉組成無汞堿錳電池的代汞劑，高純度銦鹽可應用于鍍銦集流體銅釘生產中的，它們應用于電池工業，從而保證了其在環保型電池的優越的緩蝕、消氣和代汞的性能。技術資料費280元。
銦錫氧化物薄膜溶膠一凝膠制備方法：是一種用化學溶液在玻璃、陶瓷、聚合物等基底上制備透明導電薄膜的方法。屬于材料表面化學鍍膜技術。采用銦醇鹽和錫醇鹽為原料，用一元醇作為溶劑混合均勻。加入穩定劑調整反應活性，加入水使之產生水解反應。得到的混合液在４０～８０℃陳化４～８小時后即成為可用于鍍膜的溶膠。將經過清潔處理的基片浸入溶膠，再以１～２０ｃｍ／ｍｉｎ的速度平穩提拉出液面，得到透明導電的銦錫氧化物薄膜產品。技術資料費280元。
電觸點保護劑：為解決以往繼電器、交流接觸器等電器部件中的觸點易氧化及電蝕的問題，采用在觸點間灌注由硅油、變壓器油組成的混合劑，使觸點隔絕空氣，防止氧化，并由于該混合劑的難電離性，使電弧的產生得到抑制，起到滅弧的作用，延長觸點的使用壽命。技術資料費280元。
用于電力電器設備的絕緣保護劑制造方法：由Ｃ＃－［１６］－Ｃ＃－［２５］的高沸點烷烴、Ｃ＃－［８］－Ｃ＃－［１３］的烷烴、四氯乙烯、甲基硅油、異丙醇和穩定劑組成的絕緣保護劑及其制造方法，本絕緣保護劑能在電力電器設備表面形成一層保護膜，達到防漏電、防濕、驅潮、防腐蝕的作用，實施保護時不會產生凝露現象和冰晶效應，且不含消耗臭氧層物質（ＯＤＳ），使用安全，是一種保護效果良好的環保型產品。技術資料費280元。
用于電子元器件焊接及表面封裝的通用無鉛焊料：涉及一種低熔點錫鋅無鉛焊料合金及其焊膏，由Zn,Bi,Nd和Sn組成;低熔點錫鋅無鉛焊料合金制成的焊膏,在焊料顆粒表面覆有0.1～10μm的Sn或Sn合金;具有降低合金的成本和熔煉要求,簡化了熔煉工藝,提高了抗氧化性,提高了該合金焊膏的保存穩定性,焊料熔煉工藝簡單等優點。技術資料費280元。
用于電子產品表面貼裝用的高黏附力無鉛焊錫膏：該無鉛焊錫膏含有一種與焊劑混合的Sn-Ag-Cu-Bi-Ni基無鉛焊錫粉。該焊劑基本上由樹脂(例如改性松香樹脂、失水蘋果酸樹脂)、觸變劑(改性氫化蓖麻油、脂肪酸甘油酯)、溶劑(十一醇、2-甲基-己二醇)、活性劑(丁二酸、四丁基氫溴酸胺)組成。所述的焊劑還可以含有由苯并噻唑、苯并三氮唑、苯并咪唑等的一種或一種以上成分組成的銅緩蝕劑。本無鉛焊錫膏有明顯的黏附力增大的效果，而其焊接性、印刷脫模性沒有改變。技術資料費280元。
電子工業用焊膏：由合金焊粉與焊劑組成。焊劑包括樹脂、溶劑、流變調節劑、活化劑、穩定劑。為了提高焊膏的潤濕性，活化劑選用含氟羧酸或含氟羧酸酯類有機化合物，為了提高焊膏的保存穩定性，穩定劑選用杯芳烴化合物。此外，焊劑中還可以加入含氟表面活性劑，以進一步提高焊膏的保存穩定性。技術資料費280元。
低熔點稀土氧化物增強復合無鉛釬料焊膏：涉及到電子封裝釬焊材料技術，特別涉及到適用于釬焊電子元件以及需要高可靠性封裝無鉛釬料焊膏制備方法。特征是以釬劑作為載體，利用其粘度使得添加物稀土氧化物在攪拌作用下能夠均勻分布。先將釬劑與稀土氧化物增強顆粒進行混合攪拌。然后再將無鉛金屬粉末加入到該釬劑中，利用機械混合的方法攪拌均勻，最后得到復合釬料焊膏。效果和益處是該工藝簡單易行，復合釬料具有優異的力學性能，導電性能，組織穩定性，可靠性好。具有廣泛的應用前景，可用于電子產品的封裝，可以用于光學等需要高性能領域的封裝。技術資料費280元。
顆粒增強的SnCu基復合釬料膏制備方法：釬料膏包括顆粒狀SnCu基復合釬料和市售釬劑，其中顆粒狀SnCu基復合釬料由市售顆粒狀SnCu釬料和在顆粒狀SnCu基復合釬料中體積百分比為1-5％市售顆粒狀增強體組成，顆粒狀增強體為尺寸在0.5-5μm之間的Ag或尺寸在1-10μm之間的Cu。其制備方法包括以下步驟：將尺寸在0.5-5μm之間的Ag或尺寸在1-10μm之間的Cu的顆粒狀增強體和市售釬劑混合5-10min，混合均勻；再加入顆粒尺寸在20-46μm之間的市售顆粒狀SnCu釬料混合10-20min。與傳統SnCu釬料膏相比，釬焊性能有所改善，剪切強度和蠕變抗力大大提高，制備簡單，成本低廉，適于抗蠕變性能好、尺寸穩定性要求高的電子產品的無鉛化生產。技術資料費280元。
電接觸保護劑：是指應用液態物質，涂布作用于電接觸器件表面，而附著形成液態隔離保護層，實現電接觸器件與空氣（大氣）環境的絕緣隔離，最大限度的延長電接觸器件的使用壽命，并有利于用電及電力系統安全性的提高。技術資料費280元。
導電膏：是一種非金屬導電膏技術方案是采用具有良好導電性能的石墨，碳纖維或石墨纖維材料作為導電載體，加入粘合劑，固化劑和填加劑在一定溫度下攪拌均勻組合構成的非金屬導電膏。采用的粘合劑可選用樹脂類和油脂，類均都可以，固化劑可選用乙二胺、氧化鈷、高錳酸鉀，填加劑可選用碳沫。由于采用石墨、碳纖維或石墨纖維為導電載體，此材料具有導電好、散熱好、耐高溫、耐腐蝕、自潤滑，非磁性的特點。技術資料費280元。
用于電子部件且粘度長時間穩定的導電糊膏：在含有含金屬粉末和溶劑的有機載體的導電糊膏中，上述的溶劑里，含有占此溶劑總量的2-乙基-1，3-己二醇。技術資料費280元。
單組分并且能夠室溫固化的柔彈性環氧導電銀膠：在常溫下，將環氧當量在200-250范圍內的雙酚A環氧樹脂，環氧當量在120-150范圍內的多環氧基團環氧樹脂，固化劑，乙醇充分混合均勻后，加入平均尺寸為1-10微米的片狀銀粉，進一步充分混合。在25攝氏度的室溫環境下，24小時內可以固化成為粘結強度高，室溫即可固化，柔彈性優良的產物。技術資料費280元。
新型彈性導電合金制備方法：合金由Cu、Ni、Sn和稀土Y按適當配比組成，其制備方法包括熔煉母合金，噴射沉積坯料，軋制變形和時效等步驟。本合金除具有高的強度、硬度、彈性、可焊性、可鍍性等優點外，還具有優良的抗熱應力松弛性能、好的導電穩定性及優良的工藝性能，可以用在電子工業中替代鈹青銅用于制造各精密儀器、儀表的彈性元件，因而具有廣闊的研究和市場應用前景。技術資料費280元。
導電粉末具有相對值68體積％或更高的填充密度的導電粉末，優選銅粉和銀粉，以大體上球形的銅粉的量為基準，大體上球形和鍍銀的銅粉的部分表面涂布了銀，暴露銅和銀的合金的一部分的表面，以大體上球形的鍍銀的銅粉的量為基準，大體上球形鍍銀的銅粉的表面用脂肪族酸涂布。技術資料費280元。
用于電磁線靜電涂裝工藝的絕緣粉末涂料：其主要特點是由樹脂、固化劑和輔料按一定配比經相關工藝制成，形成的產品在電磁線靜電涂裝中，不會產生廢氣、廢水、廢渣，一次涂裝數量多，生產效率高，電磁線的材質不管是銅質的還是鋁質的均可，涂層厚度容易控制，涂裝質量穩定，具有顯著的經濟效益和社會效益。技術資料費280元。
膜電極三合一組件的制備方法：將催化劑與質子導體聚合物制成的粉末，直接熱壓到質子交換膜上，形成三合一組件；其中質子導體聚合物選自Ｎａｆｉｏｎ，Ｆlｅｍｉｏｎ溶液，催化劑與質子導體聚合物的質量比為５～０．５，制成粉料粒徑小于３０μｍ；熱壓合成的溫度在１３０～１９０℃，壓力５～７ＭＰａ，時間６０～９０秒。可以根據不同需要制成多種用途的三合一組件，且制備方法簡便、快速，適于工業化生產。技術資料費280元。
電子膠由基礎樹脂、固化劑、阻燃劑、填充劑和助劑組成，其中基礎樹脂采用改性聚丙烯醇復合物，固化劑采用改性聚硫醇脲復合物，阻燃劑采用十溴化合物，填充劑采用活性二氧化硅，助劑主要包括偶聯劑、消泡劑、流平劑、鋅粉、色料。其生產工藝流程為：1基礎樹脂合成，2固化劑制備，3電子膠復配。本發明的電子膠，用于電子元件廠、整機廠、計算機房、實驗室、醫院等，具有無塵、無縫、無菌、防靜電、耐沖擊等優點；用于電子元器件的生產、裝配，具有耐壓高、散熱好、阻燃性佳、耐溫高、不逆變等優點，是一種高性能的化工產品。技術資料費280元。
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