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 半導(dǎo)體光刻膠去膠液（光刻膠剝離液）配方生產(chǎn)技術(shù)
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種不導(dǎo)電的光敏材料，它通過受到光照后特性會發(fā)生改變的原理將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。顯影過后未固化的光刻膠需要用去膠液洗掉，暴露出底材再進(jìn)行相應(yīng)的蝕刻。目前市場上大部分去膠液存在去膠速度慢、有膠殘留、長時間工作后腐蝕金屬或傷鈍化層的問題。
在集成電路制造工藝中，制造半導(dǎo)體器件一般會多次經(jīng)歷光刻工藝，該過程會用到一種不導(dǎo)電的光敏材料——光刻膠，也稱為光致抗蝕劑。一般是將光刻膠涂抹在基材上，經(jīng)過烘烤，曝光，顯影后在半導(dǎo)體襯底的傳導(dǎo)層上形成光刻圖形，接著進(jìn)行刻蝕工藝，刻蝕掉傳導(dǎo)層上光刻膠圖形沒有掩蓋的部分，將圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面上，在傳導(dǎo)層圖形形成后，光刻膠圖形必須用光刻膠剝離劑從傳導(dǎo)層去除。
半導(dǎo)體光刻膠去膠液（光刻膠剝離液）是涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，一款用于去膠效果好且對底材的攻擊較小的正性光刻膠去膠液，去膠速度快、去膠能力強(qiáng)，去膠液體系穩(wěn)定性提高，使用壽命長，表面張力低，對微小縫隙處的光刻膠去除效果好，體系中采用大量極性非質(zhì)子有機(jī)溶劑，水溶性比較好，去膠過后容易清洗；體系中還原劑和阻蝕劑能有效抑制光刻膠去膠液對底材的腐蝕作用，在有效清除膠的同時抑制對半導(dǎo)體基板對金屬、硅、氧化硅、鈍化層等各種底材的腐蝕，延長了工作時間。
光刻膠去膠液配方成分：有機(jī)溶劑、有機(jī)醇胺、有機(jī)醇、金屬保護(hù)劑和阻蝕劑等。
工作溫度：40-50℃；處理時間：10-30分鐘；處理方式：浸泡或噴淋
本光刻膠去膠液去膠速度快、去膠能力強(qiáng)，在較低溫度都能保持去膠性能，而且降低了對金屬、硅、氧化硅、鈍化等各種底材的腐蝕，延長了工作時間，水溶性好，容易清洗。
技術(shù)服務(wù)：半導(dǎo)體光刻膠去膠液（光刻膠剝離液）技術(shù)資料費(fèi)：280元，包括生產(chǎn)配方、工藝流程、性能測試等，提供技術(shù)支持。
上一技術(shù)：無渣磷化液下一技術(shù)：鍋爐水除氧劑
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